# 台积电拟造3D DRAM芯片

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- 首发：2026-11-06 22:06（北京时间），BlockBeats
- 最新：2026-11-07 21:50（北京时间）
- 报道：2 家来源，2 条
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- 原文：https://t.me/xhqcankao/32973

## 摘要

台积电应英伟达要求，考虑制造3D DRAM新型存储芯片，正评估新建工厂或收购现有工厂改造两种方案，量产时间未定，项目由副总裁徐国晋牵头。

## 原文片段

> 台积电考虑制造3D DRAM新型存储芯片
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> 全球最大芯片代工厂台积电开始考虑向存储制造领域延伸。据悉，台积电近期开始制定先进存储芯片生产计划，考虑制造一种名为 3D DRAM 的新型存储芯片。这一计划是应其最大客户英伟达的要求而启动的，旨在扩大台积电在AI硬件供应链中的业务份额。知情人士称，台积电正在评估新建工厂或收购现有半导体工厂并改造为存储芯片生产设施两种方案，目前尚未明确量产时间。该项目由负责台积电先进封装业务的副总裁徐国晋牵头。此次台积电考虑布局的3D DRAM，通过垂直堆叠存储单元提高存储密度，有望成为下一代DRAM技术的发展方向。
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> —— 财联社、彭博社

## 事件进展（最新在上）

- 2026-11-07 21:50 · 更新 · 风向旗参考快讯：台积电拟造3D DRAM芯片。（https://t.me/xhqcankao/32973）
- 2026-11-06 22:06 · 首发 · BlockBeats：台积电考虑生产3D DRAM。据 The Information 报道，应英伟达要求，台积电正考虑生产3D DRAM。（https://t.me/theblockbeats/204647）

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